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DALIENTO, SANTOLO

DALIENTO, SANTOLO  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
Experimental measurements of recombination lifetime in proton irradiated power devices 4.1 Articoli in Atti di convegno 2000 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Spirito, Paolo; G., Busatto; J., Wyss
Helium implantation in silicon: detailed experimental analysis of resistivity and lifetime profiles as a function of the implantation dose and energy 4.1 Articoli in Atti di convegno 2006 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; Limata, BENEDICTA NORMANNA; R., Carta; L., Bellemo
An experimental analysis of localized lifetime and resistivity control by helium implant in Si 4.1 Articoli in Atti di convegno 2005 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; B. N., Limata; R., Carta; L., Bellemo
An Optical Technique to Measure the Bulk Lifetime and the Surface Recombination Velocity in Silicon Samples Based on a Laser Diode Probe System 1.1 Articolo in rivista 1998 A., Cutolo; Daliento, Santolo; A., Sanseverino; G. F., Vitale; L., Zeni
Recombination Centers Identification in Very Thin Silicon Epitaxial Layers via Lifetime Measurements 1.1 Articolo in rivista 1996 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; P. M., Sarro; P., Spirito; L., Zeni
Experimental Measurements of Majority and Minority Carrier Lifetime Profile in SI Epilayers by the Use of an Improved OCVD Method 1.1 Articolo in rivista 2005 S., Bellone; G. D., Licciardo; Daliento, Santolo; L., Mele
Approximate closed form analytical solution for minority carrier transport in opaque heavily doped regions under illuminated conditions 1.1 Articolo in rivista 2006 Daliento, Santolo; L., Mele
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE INTERFACE RECOMBINATION VELOCITY BASED ON A THREE-TERMINAL TEST STRUCTURE 1.1 Articolo in rivista 2003 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; F., Roca
An Improved Test Structure for Recombination Lifetime Profile Measurements in Very Thick Silicon Wafers 1.1 Articolo in rivista 1999 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; P., Spirito
Sol-gel Synthesis of ZnO thin films for photovoltaic applications 4.1 Articoli in Atti di convegno 2012 Tari, Orlando; Aronne, Antonio; M. L., Addonizio; Daliento, Santolo; Fanelli, Esther; Pernice, Pasquale
Preparation and Characterization of ZnO Sol-Gel Thin Films Deposited on Glass Substrates 4.1 Articoli in Atti di convegno 2011 Tari, Orlando; M. L., Addonizio; Fanelli, Esther; Daliento, Santolo; Pernice, Pasquale; Aronne, Antonio
Characterization of recombination centers in Si epilayers after He implantation by direct measurement of local lifetime distribution with the ac profiling technique 1.1 Articolo in rivista 2004 Spirito, Paolo; Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; Limata, BENEDICTA NORMANNA; R., Carta; L., Bellemo
PERFORMANCES CHARACTERIZATION OF CONCENTRATION SOLAR CELLS BY MEANS OF I-V AND LIFETIME MEASUREMENTS MADE WITH THE QSSPC TECHNIQUE 4.1 Articoli in Atti di convegno 2006 Daliento, Santolo; L., Mele; L., Lancellotti; P., Morvillo; E., Bobeico; F., Roca; L., Pirozzi
Improved reverse recovery measurements for the extraction of the recombination lifetime in silicon solar cells 4.1 Articoli in Atti di convegno 2007 Daliento, Santolo; L., Mele; F., Roca; L., Lancellotti; R., Fucci; P., Morvillo; E., Bobeico
Modelling of the input I-V curves of bipolar JFET structures showing a negative resistance behaviour 1.1 Articolo in rivista 2001 S., Bellone; Daliento, Santolo; A., Sanseverino
A new measurement technique for the conductivity mobility versus injection level in Silicon 1.1 Articolo in rivista 1997 S., Bellone; G. V., Persiano; Strollo, ANTONIO GIUSEPPE MARIA; Daliento, Santolo
Bulk lifetime extraction in silicon wafers: comparison between electrical and optical techniques 4.1 Articoli in Atti di convegno 1997 Cutolo, A.; Daliento, Santolo; Irace, Andrea; Sanseverino, A.; Spirito, P.; Zeni, L.
QUASI STEADY-STATE AND TRANSIENT PCD LIFETIME MEASUREMENTS IN SILICON MATERIALS FOR PHOTOVOLTAIC CONCENTRATION DEVICES, A COMPARISON WITH THE TRANSVERSE PROBETECHNIQUE 4.1 Articoli in Atti di convegno 2004 Daliento, Santolo; Irace, Andrea; L., Mele; Sanseverino, Annunziata; L., Pirozzi; M., Izzi; U., Besi; G., Arabito
Morphological, Optical and Electrical properties of ZnO Sol-Gel Transparent and Conductive films 4.1 Articoli in Atti di convegno 2011 Tari, Orlando; M. L., Addonizio; Fanelli, Esther; Daliento, Santolo; Pernice, Pasquale; Aronne, Antonio
Sol–gel synthesis of ZnO transparent and conductive films:A critical approach 1.1 Articolo in rivista 2012 Daliento, Santolo; Tari, Orlando; Aronne, Antonio; Pernice, Pasquale; Fanelli, Esther; M., Addonizio