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Impact of layout and technology parameters on the thermal resistance of SiGe:C HBTs / D'Alessandro, Vincenzo; Marano, Ilaria; Russo, Salvatore; Celi, Didier; Chantre, Alain; Chevalier, Pascal; Pourchon, Franck; Rinaldi, Niccolo'. - (2010), pp. 137-140. (Intervento presentato al convegno IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) tenutosi a Austin, Texas, USA nel Oct. 2010) [10.1109/BIPOL.2010.5667912].

Impact of layout and technology parameters on the thermal resistance of SiGe:C HBTs

d'ALESSANDRO, VINCENZO;Salvatore Russo;RINALDI, NICCOLO'
2010
2010
9781424485765
Impact of layout and technology parameters on the thermal resistance of SiGe:C HBTs / D'Alessandro, Vincenzo; Marano, Ilaria; Russo, Salvatore; Celi, Didier; Chantre, Alain; Chevalier, Pascal; Pourchon, Franck; Rinaldi, Niccolo'. - (2010), pp. 137-140. (Intervento presentato al convegno IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) tenutosi a Austin, Texas, USA nel Oct. 2010) [10.1109/BIPOL.2010.5667912].
4.1 Articoli in Atti di convegno
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