Analytical Models of Effective Dos, Saturation Velocity and High-Field Mobility for SiGe HBTs Numerical Simulation / Sasso, Grazia; G., Matz; C., Jungemann; Rinaldi, Niccolo'. - ELETTRONICO. - (2010), pp. 279-282. (Intervento presentato al convegno IEEE International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Bologna nel 6th-8th September 2010).

Analytical Models of Effective Dos, Saturation Velocity and High-Field Mobility for SiGe HBTs Numerical Simulation

SASSO, GRAZIA;RINALDI, NICCOLO'
2010

2010
9781424477012
Analytical Models of Effective Dos, Saturation Velocity and High-Field Mobility for SiGe HBTs Numerical Simulation / Sasso, Grazia; G., Matz; C., Jungemann; Rinaldi, Niccolo'. - ELETTRONICO. - (2010), pp. 279-282. (Intervento presentato al convegno IEEE International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Bologna nel 6th-8th September 2010).
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11588/390813
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact