Analytical Models of Effective Dos, Saturation Velocity and High-Field Mobility for SiGe HBTs Numerical Simulation / Sasso, Grazia; G., Matz; C., Jungemann; Rinaldi, Niccolo'. - ELETTRONICO. - (2010), pp. 279-282. (Intervento presentato al convegno IEEE International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Bologna nel 6th-8th September 2010).
Analytical Models of Effective Dos, Saturation Velocity and High-Field Mobility for SiGe HBTs Numerical Simulation
SASSO, GRAZIA;RINALDI, NICCOLO'
2010
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