Defect Distribution And Bonding Structure In High Band Gap a-Si1-xCx:H Films Deposited In H2 Dilution / R., Galloni; R., Rizzoli; C., Summonte; F., Demichelis; F., Giorgis; C. F., Pirri; E., Tresso; Ambrosone, Giuseppina; Catalanotti, Sergio; Coscia, Ubaldo; P., Rava; G., Della Mea; V., Rigato; A., Madan; F., Zignani. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - STAMPA. - 336:(1994), pp. 517-522. (Intervento presentato al convegno Amorphous Silicon Technology tenutosi a San Francisco nel April 4-8,1994).
Defect Distribution And Bonding Structure In High Band Gap a-Si1-xCx:H Films Deposited In H2 Dilution
AMBROSONE, GIUSEPPINA;CATALANOTTI, SERGIO;COSCIA, UBALDO;
1994
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