Short circuit robustness analysis of new generation Enhancement-mode p-GaN power HEMTs / Riccio, M.; Romano, G.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.; Longobardi, G.. - 2018-:(2018), pp. 104-107. (Intervento presentato al convegno 30th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2018 tenutosi a usa nel 2018) [10.1109/ISPSD.2018.8393613].

Short circuit robustness analysis of new generation Enhancement-mode p-GaN power HEMTs

Riccio M.;Maresca L.;Breglio G.;Irace A.;
2018

2018
978-1-5386-2927-7
Short circuit robustness analysis of new generation Enhancement-mode p-GaN power HEMTs / Riccio, M.; Romano, G.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.; Longobardi, G.. - 2018-:(2018), pp. 104-107. (Intervento presentato al convegno 30th IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2018 tenutosi a usa nel 2018) [10.1109/ISPSD.2018.8393613].
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