Electrothermal issues in 4H-SiC 600 V Schottky diodes in forward mode: Experimental characterization, numerical simulation and analytical modeling / Irace, Andrea; D'Alessandro, Vincenzo; Breglio, Giovanni; Spirito, Paolo; Rossano, Carta; Diego, Raffo; Luigi, Merlin. - STAMPA. - (2005), pp. 21-21. (Intervento presentato al convegno 11th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) tenutosi a Pittsburgh, Pennsylvania, USA nel Sep. 2005).
Electrothermal issues in 4H-SiC 600 V Schottky diodes in forward mode: Experimental characterization, numerical simulation and analytical modeling
IRACE, ANDREA;d'ALESSANDRO, VINCENZO;BREGLIO, GIOVANNI;SPIRITO, PAOLO;
2005
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
