Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs / Fayyaz, A., Castellazzi, A., Romano, G., Riccio, M., Irace, A., Urresti, J., Wright, G.A.. - (2017), pp. 391-394. (29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD 2017 Royton Sapporo, jpn 2017) [10.23919/ISPSD.2017.7988986].
Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs
CASTELLAZZI, ALBERTO;ROMANO, GIANPAOLO;RICCIO, MICHELE;IRACE, ANDREA;
2017
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