Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs / Fayyaz, A.; Castellazzi, Alberto; Romano, Gianpaolo; Riccio, Michele; Irace, Andrea; Urresti, J.; Wright, GERALDINE ANN. - (2017), pp. 391-394. (Intervento presentato al convegno 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD 2017 tenutosi a Royton Sapporo, jpn nel 2017) [10.23919/ISPSD.2017.7988986].

Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs

CASTELLAZZI, ALBERTO;ROMANO, GIANPAOLO;RICCIO, MICHELE;IRACE, ANDREA;
2017

2017
9784886860958
Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs / Fayyaz, A.; Castellazzi, Alberto; Romano, Gianpaolo; Riccio, Michele; Irace, Andrea; Urresti, J.; Wright, GERALDINE ANN. - (2017), pp. 391-394. (Intervento presentato al convegno 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD 2017 tenutosi a Royton Sapporo, jpn nel 2017) [10.23919/ISPSD.2017.7988986].
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