Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs / Fayyaz, A., Castellazzi, A., Romano, G., Riccio, M., Irace, A., Urresti, J., Wright, G.A.. - (2017), pp. 391-394. (29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD 2017 Royton Sapporo, jpn 2017) [10.23919/ISPSD.2017.7988986].

Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs

CASTELLAZZI, ALBERTO;ROMANO, GIANPAOLO;RICCIO, MICHELE;IRACE, ANDREA;
2017

2017
9784886860958
Influence of gate bias on the avalanche ruggedness of SiC power MOSFETs / Fayyaz, A., Castellazzi, A., Romano, G., Riccio, M., Irace, A., Urresti, J., Wright, G.A.. - (2017), pp. 391-394. (29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, ISPSD 2017 Royton Sapporo, jpn 2017) [10.23919/ISPSD.2017.7988986].
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11588/690080
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 18
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact