High-temperature validated SiC power MOSFET model for flexible robustness analysis of multi-chip structures / Riccio, M., D'Alessandro, V., Romano, G., Maresca, L., Breglio, G., Irace, A., Castellazzi, A.. - (2018), pp. 443-446. (IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Chicago, Illinois, USA May 2018) [10.1109/ISPSD.2018.8393698].
High-temperature validated SiC power MOSFET model for flexible robustness analysis of multi-chip structures
Michele Riccio;Vincenzo d'Alessandro;Gianpaolo Romano;Luca Maresca;Giovanni Breglio;Andrea Irace;Alberto Castellazzi
2018
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