High-temperature validated SiC power MOSFET model for flexible robustness analysis of multi-chip structures / Riccio, Michele; D'Alessandro, Vincenzo; Romano, Gianpaolo; Maresca, Luca; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Castellazzi, Alberto. - (2018), pp. 443-446. (Intervento presentato al convegno IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) tenutosi a Chicago, Illinois, USA nel May 2018) [10.1109/ISPSD.2018.8393698].

High-temperature validated SiC power MOSFET model for flexible robustness analysis of multi-chip structures

Michele Riccio;Vincenzo d'Alessandro;Gianpaolo Romano;Luca Maresca;Giovanni Breglio;Andrea Irace;Alberto Castellazzi
2018

2018
978-1-5386-2928-4
High-temperature validated SiC power MOSFET model for flexible robustness analysis of multi-chip structures / Riccio, Michele; D'Alessandro, Vincenzo; Romano, Gianpaolo; Maresca, Luca; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Castellazzi, Alberto. - (2018), pp. 443-446. (Intervento presentato al convegno IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) tenutosi a Chicago, Illinois, USA nel May 2018) [10.1109/ISPSD.2018.8393698].
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