An Experimentally Verified 3.3 kV SiC MOSFET Model Suitable for High-Current Modules Design / Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.; Romano, G.; Bianda, E.; Mihaila, A.; Bellini, M.; Knoll, L.; Wirths, S.. - 2019-:(2019), pp. 215-218. (Intervento presentato al convegno 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2019 tenutosi a Shanghai Marriott Hotel Parkview, chn nel 2019) [10.1109/ISPSD.2019.8757576].
An Experimentally Verified 3.3 kV SiC MOSFET Model Suitable for High-Current Modules Design
Borghese A.;Riccio M.;Maresca L.;Breglio G.;Irace A.;
2019
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