BORGHESE, ALESSANDRO
BORGHESE, ALESSANDRO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE
Statistical Analysis of the Electrothermal Imbalances of Mismatched Parallel SiC Power MOSFETs
2019 Borghese, A.; Riccio, M.; Fayyaz, A.; Castellazzi, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
Analysis of device and circuit parameters variability in SiC MOSFETs-based multichip power module
2018 Riccio, Michele; Borghese, Alessandro; Romano, Gianpaolo; D'Alessandro, Vincenzo; Fayyaz, Asad; Castellazzi, Alberto; Maresca, Luca; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea
Electrothermal aware design of multichip SiC-based converters for e-mobility
2019 Borghese, Alessandro; Riccio, Michele; Catalano, ANTONIO PIO; D'Alessandro, Vincenzo; Maresca, Luca; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea
Experimental analysis of electro-thermal interaction in normally-off pGaN HEMT devices
2019 Riccio, M.; Romano, G.; Borghese, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.; Longobardi, G.
An Experimentally Verified 3.3 kV SiC MOSFET Model Suitable for High-Current Modules Design
2019 Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.; Romano, G.; Bianda, E.; Mihaila, A.; Bellini, M.; Knoll, L.; Wirths, S.
Effect of Parameters Variability on the Performance of SiC MOSFET Modules
2019 Borghese, A.; Riccio, M.; Fayyaz, A.; Castellazzi, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
Fully-Coupled Electrothermal Simulation of Wide-Area Reverse Conducting IGBTs
2019 Riccio, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
An efficient simulation methodology to quantify the impact of parameter fluctuations on the electrothermal behavior of multichip SiC power modules
2019 Borghese, Alessandro; Catalano, ANTONIO PIO; Riccio, Michele; Codecasa, Lorenzo; Fayyaz, Asad; D'Alessandro, Vincenzo; Castellazzi, Alberto; Maresca, Luca; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea
Compact modeling of a 3.3 kV SiC MOSFET power module for detailed circuit-level electrothermal simulations including parasitics
2021 Scognamillo, Ciro; Catalano, ANTONIO PIO; Riccio, Michele; D’Alessandro, Vincenzo; Codecasa, Lorenzo; Borghese, Alessandro; Tripathi, Ravi N.; Castellazzi, Alberto; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea
TCAD Analysis of the Impact of the Metal-Semiconductor Junction Properties on the Forward Characteristics of MPS/JBS SiC Diodes
2022 Boccarossa, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.
A Scalable SPICE-Based Compact Model for 1.7 kV SiC MOSFETs
2022 Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Kicin, S.; Irace, A.
An Electrothermal Compact Model for SiC MOSFETs Based on SPICE Primitives with Improved Description of the JFET Resistance
2022 Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
Gate current in p-gan gate hemts as a channel temperature sensitive parameter: A comparative study between schottky-and ohmic-gate gan hemts
2021 Borghese, A.; Costanzo, A. D.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
Gate Driver for p-GaN HEMTs with Real-Time Monitoring Capability of Channel Temperature
2021 Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
Gate leakage current sensing for in situ temperature monitoring of p-GaN gate HEMTs
2020 Borghese, A.; Riccio, M.; Longobardi, G.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
Statistical Electrothermal Simulation for Lifetime Prediction of Parallel SiC MOSFETs and Modules
2020 Borghese, A.; Riccio, M.; Castellazzi, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
SiC MOSFETs
2020 Maresca, L.; Borghese, A.; Romano, G.; Fayyaz, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Castellazzi, A.; Irace, A.
Optimum module design II: Impact of parameter design spread
2021 Riccio, Michele; Borghese, Alessandro; D'Alessandro, Vincenzo; Maresca, Luca; Irace, Andrea
Electrothermal modeling, simulation, and electromagnetic characterization of a 3.3 kV SiC MOSFET power module
2021 Scognamillo, Ciro; Catalano, ANTONIO PIO; Borghese, Alessandro; Riccio, Michele; D'Alessandro, Vincenzo; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Tripathi, Ravi N.; Castellazzi, Alberto; Codecasa, Lorenzo
A simple electrothermal compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism
2023 D’Alessandro, Vincenzo; Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea
Titolo | Tipologia | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Statistical Analysis of the Electrothermal Imbalances of Mismatched Parallel SiC Power MOSFETs | 1.1 Articolo in rivista | 2019 | Borghese, A.; Riccio, M.; Fayyaz, A.; Castellazzi, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
Analysis of device and circuit parameters variability in SiC MOSFETs-based multichip power module | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2018 | Riccio, Michele; Borghese, Alessandro; Romano, Gianpaolo; D'Alessandro, Vincenzo; Fayyaz, Asad; Castellazzi, Alberto; Maresca, Luca; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea | |
Electrothermal aware design of multichip SiC-based converters for e-mobility | 8.02 Comunicazioni a Convegni o Seminari | 2019 | Borghese, Alessandro; Riccio, Michele; Catalano, ANTONIO PIO; D'Alessandro, Vincenzo; Maresca, Luca; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea | |
Experimental analysis of electro-thermal interaction in normally-off pGaN HEMT devices | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2019 | Riccio, M.; Romano, G.; Borghese, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.; Longobardi, G. | |
An Experimentally Verified 3.3 kV SiC MOSFET Model Suitable for High-Current Modules Design | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2019 | Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.; Romano, G.; Bianda, E.; Mihaila, A.; Bellini, M.; Knoll, L.; Wirths, S. | |
Effect of Parameters Variability on the Performance of SiC MOSFET Modules | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2019 | Borghese, A.; Riccio, M.; Fayyaz, A.; Castellazzi, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
Fully-Coupled Electrothermal Simulation of Wide-Area Reverse Conducting IGBTs | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2019 | Riccio, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
An efficient simulation methodology to quantify the impact of parameter fluctuations on the electrothermal behavior of multichip SiC power modules | 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) | 2019 | Borghese, Alessandro; Catalano, ANTONIO PIO; Riccio, Michele; Codecasa, Lorenzo; Fayyaz, Asad; D'Alessandro, Vincenzo; Castellazzi, Alberto; Maresca, Luca; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea | |
Compact modeling of a 3.3 kV SiC MOSFET power module for detailed circuit-level electrothermal simulations including parasitics | 1.1 Articolo in rivista | 2021 | Scognamillo, Ciro; Catalano, ANTONIO PIO; Riccio, Michele; D’Alessandro, Vincenzo; Codecasa, Lorenzo; Borghese, Alessandro; Tripathi, Ravi N.; Castellazzi, Alberto; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea | |
TCAD Analysis of the Impact of the Metal-Semiconductor Junction Properties on the Forward Characteristics of MPS/JBS SiC Diodes | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2022 | Boccarossa, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A. | |
A Scalable SPICE-Based Compact Model for 1.7 kV SiC MOSFETs | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2022 | Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Kicin, S.; Irace, A. | |
An Electrothermal Compact Model for SiC MOSFETs Based on SPICE Primitives with Improved Description of the JFET Resistance | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2022 | Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
Gate current in p-gan gate hemts as a channel temperature sensitive parameter: A comparative study between schottky-and ohmic-gate gan hemts | 1.1 Articolo in rivista | 2021 | Borghese, A.; Costanzo, A. D.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
Gate Driver for p-GaN HEMTs with Real-Time Monitoring Capability of Channel Temperature | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2021 | Borghese, A.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
Gate leakage current sensing for in situ temperature monitoring of p-GaN gate HEMTs | 1.1 Articolo in rivista | 2020 | Borghese, A.; Riccio, M.; Longobardi, G.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
Statistical Electrothermal Simulation for Lifetime Prediction of Parallel SiC MOSFETs and Modules | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2020 | Borghese, A.; Riccio, M.; Castellazzi, A.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
SiC MOSFETs | 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) | 2020 | Maresca, L.; Borghese, A.; Romano, G.; Fayyaz, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Castellazzi, A.; Irace, A. | |
Optimum module design II: Impact of parameter design spread | 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) | 2021 | Riccio, Michele; Borghese, Alessandro; D'Alessandro, Vincenzo; Maresca, Luca; Irace, Andrea | |
Electrothermal modeling, simulation, and electromagnetic characterization of a 3.3 kV SiC MOSFET power module | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2021 | Scognamillo, Ciro; Catalano, ANTONIO PIO; Borghese, Alessandro; Riccio, Michele; D'Alessandro, Vincenzo; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Tripathi, Ravi N.; Castellazzi, Alberto; Codecasa, Lorenzo | |
A simple electrothermal compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2023 | D’Alessandro, Vincenzo; Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea |