IRIS

DALIENTO, SANTOLO

DALIENTO, SANTOLO  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE  

Mostra records
Risultati 1 - 20 di 165 (tempo di esecuzione: 0.029 secondi).
Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
Helium implantation in silicon: detailed experimental analysis of resistivity and lifetime profiles as a function of the implantation dose and energy 4.1 Articoli in Atti di convegno 2006 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; Limata, BENEDICTA NORMANNA; R., Carta; L., Bellemo
An experimental analysis of localized lifetime and resistivity control by helium implant in Si 4.1 Articoli in Atti di convegno 2005 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; B. N., Limata; R., Carta; L., Bellemo
An Improved Test Structure for Recombination Lifetime Profile Measurements in Very Thick Silicon Wafers 1.1 Articolo in rivista 1999 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; P., Spirito
Experimental measurements of recombination lifetime in proton irradiated power devices 4.1 Articoli in Atti di convegno 2000 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Spirito, Paolo; G., Busatto; J., Wyss
Induced degradation on c-Si solar cells for concentration terrestrial applications 1.1 Articolo in rivista 2010 L., Lancellotti; R., Fucci; A., Romano; A., Sarno; Daliento, Santolo
Recombination Centers Identification in Very Thin Silicon Epitaxial Layers via Lifetime Measurements 1.1 Articolo in rivista 1996 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; P. M., Sarro; P., Spirito; L., Zeni
Analytical modelling and minority current measurements for the determination of the emitter surface recombination velocity in silicon solar cells 1.1 Articolo in rivista 2007 Daliento, Santolo; Mele, L; Bobeico, E; Lancellotti, L; Morvillo, P.
Approximate closed form analytical solution for minority carrier transport in opaque heavily doped regions under illuminated conditions 1.1 Articolo in rivista 2006 Daliento, Santolo; L., Mele
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE INTERFACE RECOMBINATION VELOCITY BASED ON A THREE-TERMINAL TEST STRUCTURE 1.1 Articolo in rivista 2003 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; F., Roca
Recombination lifetime degradation in thermally stressed N-type bulk silicon wafer 4.1 Articoli in Atti di convegno 1997 Cutolo, A.; Daliento, Santolo; Irace, Andrea; Spirito, P.; Zeni, L.
Comments on: Temperature Dependence of Carrier Lifetime in Si wafer 1.1 Articolo in rivista 1999 P., Spirito; Daliento, Santolo; A., Sanseverino; L., Zeni
Experimental study on power consumption in lifetime engineered power diodes 1.1 Articolo in rivista 2009 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; R., Carta; L., Merlin
Transparent and conductive thin films by Sol-gel 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2012 Aronne, Antonio; Tari, Orlando; M. L., Addonizio; Daliento, Santolo; Fanelli, Esther; Pernice, Pasquale
Modelling of the input I-V curves of bipolar JFET structures showing a negative resistance behaviour 1.1 Articolo in rivista 2001 S., Bellone; Daliento, Santolo; A., Sanseverino
A new test structure for lifetime profiling in very thick lightly doped silicon material 4.1 Articoli in Atti di convegno 1998 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Spirito, Paolo
Lifetime and resistivity modifications induced by helium implantation in silicon: experimental analysis with the ac profiling technique 1.1 Articolo in rivista 2008 Daliento, Santolo; Mele, L; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Limata, BENEDICTA NORMANNA
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; G., Contento; N., Martucciello; I., Nasti; F., Roca
An electrical technique for the measurement of the interface recombination velocity based on a three terminal test structu 1.1 Articolo in rivista 2003 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; P., Spirito; F., Roca
Electrical measurement of the lattice damage induced by a-particle implantation in silicon 1.1 Articolo in rivista 2005 L., Bellemo; R., Carta; Daliento, Santolo; L., Gialanella; B. N., Limata; L., Mele; Romano, Mario; A., Sanseverino; Spirito, Paolo
Experimental measurement of in-depth secondary defect distribution prodced by Helium implantation in silicon 1.1 Articolo in rivista 2006 Daliento, Santolo; Mele, L.; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Limata, BENEDICTA NORMANNA; Romano, Mario