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SPIRITO, PAOLO

SPIRITO, PAOLO  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
Experimental study on power consumption in lifetime engineered power diodes 1.1 Articolo in rivista 2009 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; R., Carta; L., Merlin
The bipolar mode field effect transistor (BMFET) as an optically controlled switch: numerical and experimental results 1.1 Articolo in rivista 1996 Breglio, Giovanni; R., Casavola; A., Cutolo; Spirito, Paolo
Experimental measurements of recombination lifetime in proton irradiated power devices 4.1 Articoli in Atti di convegno 2000 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Spirito, Paolo; G., Busatto; J., Wyss
Helium implantation in silicon: detailed experimental analysis of resistivity and lifetime profiles as a function of the implantation dose and energy 4.1 Articoli in Atti di convegno 2006 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; Limata, BENEDICTA NORMANNA; R., Carta; L., Bellemo
An experimental analysis of localized lifetime and resistivity control by helium implant in Si 4.1 Articoli in Atti di convegno 2005 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; B. N., Limata; R., Carta; L., Bellemo
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE INTERFACE RECOMBINATION VELOCITY BASED ON A THREE-TERMINAL TEST STRUCTURE 1.1 Articolo in rivista 2003 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; F., Roca
Characterization of recombination centers in Si epilayers after He implantation by direct measurement of local lifetime distribution with the ac profiling technique 1.1 Articolo in rivista 2004 Spirito, Paolo; Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; Limata, BENEDICTA NORMANNA; R., Carta; L., Bellemo
THERMOS3, a tool for 3D electrothermal simulation of smart power MOSFETs 4.1 Articoli in Atti di convegno 2006 G., Buonaiuto; Irace, Andrea; Breglio, Giovanni; Spirito, Paolo
Lifetime and resistivity modifications induced by helium implantation in silicon: experimental analysis with the ac profiling technique 1.1 Articolo in rivista 2008 Daliento, Santolo; Mele, L; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Limata, BENEDICTA NORMANNA
A METHOD FOR IN-SITU CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR INTERFACE DURING A-SI SOLAR CELL FABRICATION 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; N., Martucciello; F., Roca
Fast Infrared thermal analysis of Smart Power MOSFETS in permanent short circuit operation 4.1 Articoli in Atti di convegno 2006 Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Spirito, Paolo; R., Letor; S., Russo
Experimental Detection and Numerical Validation of Different Failure Mechanisms in IGBTs During Unclamped Inductive Switching 1.1 Articolo in rivista 2013 Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Napoli, Ettore; Riccio, Michele; Spirito, Paolo
Reliability enhancement with the aid of transient infrared thermal analysis of smart Power MOSFETs during short circuit operation 1.1 Articolo in rivista 2005 Irace, Andrea; Breglio, Giovanni; Spirito, Paolo; R., Letor; S., Russo
Thermal simulation and ultrafast IR temperature mapping of a Smart Power Switch for automotive applications 4.1 Articoli in Atti di convegno 2009 Riccio, Michele; Irace, Andrea; Breglio, Giovanni; Spirito, Paolo; . Kosel V, .; Glavanovics, M.; Satka, A.
Semiconducto Device with Buffer Layer 6.1 Brevetto 2009 Irace, Andrea; Breglio, Giovanni; Spirito, Paolo; Merlin, L; Raffo, D; Bricconi, A.
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE INTERFACE RECOMBINATION VELOCITY BASED ON A THREE TERMINAL TEST STRUCTURE 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; F., Roca
Experimental measurement of in-depth secondary defect distribution prodced by Helium implantation in silicon 1.1 Articolo in rivista 2006 Daliento, Santolo; Mele, L.; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Limata, BENEDICTA NORMANNA; Romano, Mario
Electrical measurement of the lattice damage induced by a-particle implantation in silicon 1.1 Articolo in rivista 2005 L., Bellemo; R., Carta; Daliento, Santolo; L., Gialanella; B. N., Limata; L., Mele; Romano, Mario; A., Sanseverino; Spirito, Paolo
A new test structure for lifetime profiling in very thick lightly doped silicon material 4.1 Articoli in Atti di convegno 1998 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Spirito, Paolo
Design of a 600V Punch-through IGBT using local lifetime control. On-state voltage drop vs. turn-off time optimization. 4.1 Articoli in Atti di convegno 2002 Napoli, Ettore; Strollo, ANTONIO GIUSEPPE MARIA; Spirito, Paolo; F., Frisina; L., Fragapane; D., Fagone