BOCCAROSSA, MARCO
BOCCAROSSA, MARCO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE
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TCAD Analysis of the Impact of the Metal-Semiconductor Junction Properties on the Forward Characteristics of MPS/JBS SiC Diodes
2022 Boccarossa, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.
A simple electrothermal compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism
2023 D’Alessandro, Vincenzo; Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea
Analysis of Electrothermal Imbalance of Hard-Switched Parallel SiC MOSFETs through Infrared Thermography
2024 Borghese, Alessandro; Angora, Stefano; Boccarossa, Marco; Riccio, Michele; Maresca, Luca; Marrazzo, Vincenzo Romano; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea
Titolo | Tipologia | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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TCAD Analysis of the Impact of the Metal-Semiconductor Junction Properties on the Forward Characteristics of MPS/JBS SiC Diodes | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2022 | Boccarossa, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A. | |
A simple electrothermal compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2023 | D’Alessandro, Vincenzo; Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea | |
Analysis of Electrothermal Imbalance of Hard-Switched Parallel SiC MOSFETs through Infrared Thermography | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2024 | Borghese, Alessandro; Angora, Stefano; Boccarossa, Marco; Riccio, Michele; Maresca, Luca; Marrazzo, Vincenzo Romano; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea |