BOCCAROSSA, MARCO
BOCCAROSSA, MARCO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE
TCAD Analysis of the Impact of the Metal-Semiconductor Junction Properties on the Forward Characteristics of MPS/JBS SiC Diodes
2022 Boccarossa, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.
A simple electrothermal compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism
2023 D’Alessandro, Vincenzo; Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea
Analysis of Electrothermal Imbalance of Hard-Switched Parallel SiC MOSFETs through Infrared Thermography
2024 Borghese, Alessandro; Angora, Stefano; Boccarossa, Marco; Riccio, Michele; Maresca, Luca; Marrazzo, Vincenzo Romano; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea
A geometry-scalable physically-based SPICE compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism
2024 Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; D’Alessandro, Vincenzo; Irace, Andrea
A geometry-scalable electrothermal compact circuit model of SiC Merged-PiN-Schottky diodes accounting for the snapback mechanism: Application to current surge events
2025 Borghese, Alessandro; Terracciano, Vincenzo; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea; D’Alessandro, Vincenzo
The Ferro-Power MOSFET: Enhancing Short-Circuit Robustness in Power Switches With a Ferroelectric Gate Stack
2025 Boccarossa, Marco; Maresca, Luca; Borghese, Alessandro; Riccio, Michele; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Salvatore, Giovanni A.
Development of an HBM-ESD tester for power semiconductor devices
2021 Maresca, L.; Auriemma, G.; Boccarossa, M.; Borghese, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.
Short-circuit and Avalanche Robustness of SiC Power MOSFETs for Aerospace Power Converters
2023 Borghese, A.; Boccarossa, M.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A.
Substantial Improvement of the Short-circuit Capability of a 1.2 kV SiC MOSFET by a HfO2/SiO2Ferroelectric Gate Stack
2024 Boccarossa, M.; Maresca, L.; Borghese, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.; Salvatore, G. A.
Non-Linear Gate Stack Effect on the Short Circuit Performance of a 1.2-kV SiC MOSFET
2024 Boccarossa, M.; Maresca, L.; Borghese, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.; Salvatore, G. A.
Out-of-SOA performance in 3.3 kV SiC MOSFETs: Comparison between planar and quasi-planar trench
2025 Scognamillo, Ciro; Borghese, Alessandro; Melnyk, Kyrylo; Nistor, Iulian; D’Alessandro, Vincenzo; Boccarossa, Marco; Terracciano, Vincenzo; Riccio, Michele; Catalano, Antonio Pio; Breglio, Giovanni; Lophitis, Neo; Antoniou, Marina; Rahimo, Munaf; Irace, Andrea; Maresca, Luca
Short-Circuit Rugged 1.2 kV SiC MOSFET with a Non-Linear Dielectric Gate Stack
2023 Boccarossa, M.; Maresca, L.; Borghese, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.; Salvatore, G. A.
SiC GAA MOSFET Concept for High Power Electronics Performance Evaluation Through Advanced TCAD Simulations
2024 Maresca, L.; Terracciano, V.; Borghese, A.; Boccarossa, M.; Riccio, M.; Breglio, G.; Mihaila, A.; Romano, G.; Wirths, S.; Knoll, L.; Irace, A.
Threshold Voltage Temperature Dependence for a 1.2 kV SiC MOSFET with Non-Linear Gate Stack
2023 Boccarossa, Marco; Maresca, Luca; Borghese, Alessandro; Riccio, Michele; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Salvatore, Giovanni A.
Numerical Analysis of the Schottky Contact Properties on the Forward Conduction of MPS/JBS SiC Diodes
2023 Boccarossa, Marco; Borghese, Alessandro; Maresca, Luca; Riccio, Michele; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea
Titolo | Tipologia | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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TCAD Analysis of the Impact of the Metal-Semiconductor Junction Properties on the Forward Characteristics of MPS/JBS SiC Diodes | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2022 | Boccarossa, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A. | |
A simple electrothermal compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2023 | D’Alessandro, Vincenzo; Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea | |
Analysis of Electrothermal Imbalance of Hard-Switched Parallel SiC MOSFETs through Infrared Thermography | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2024 | Borghese, Alessandro; Angora, Stefano; Boccarossa, Marco; Riccio, Michele; Maresca, Luca; Marrazzo, Vincenzo Romano; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea | |
A geometry-scalable physically-based SPICE compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism | 1.1 Articolo in rivista | 2024 | Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; D’Alessandro, Vincenzo; Irace, Andrea | |
A geometry-scalable electrothermal compact circuit model of SiC Merged-PiN-Schottky diodes accounting for the snapback mechanism: Application to current surge events | 1.1 Articolo in rivista | 2025 | Borghese, Alessandro; Terracciano, Vincenzo; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea; D’Alessandro, Vincenzo | |
The Ferro-Power MOSFET: Enhancing Short-Circuit Robustness in Power Switches With a Ferroelectric Gate Stack | 1.1 Articolo in rivista | 2025 | Boccarossa, Marco; Maresca, Luca; Borghese, Alessandro; Riccio, Michele; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Salvatore, Giovanni A. | |
Development of an HBM-ESD tester for power semiconductor devices | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2021 | Maresca, L.; Auriemma, G.; Boccarossa, M.; Borghese, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A. | |
Short-circuit and Avalanche Robustness of SiC Power MOSFETs for Aerospace Power Converters | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2023 | Borghese, A.; Boccarossa, M.; Riccio, M.; Maresca, L.; Breglio, G.; Irace, A. | |
Substantial Improvement of the Short-circuit Capability of a 1.2 kV SiC MOSFET by a HfO2/SiO2Ferroelectric Gate Stack | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2024 | Boccarossa, M.; Maresca, L.; Borghese, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.; Salvatore, G. A. | |
Non-Linear Gate Stack Effect on the Short Circuit Performance of a 1.2-kV SiC MOSFET | 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) | 2024 | Boccarossa, M.; Maresca, L.; Borghese, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.; Salvatore, G. A. | |
Out-of-SOA performance in 3.3 kV SiC MOSFETs: Comparison between planar and quasi-planar trench | 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) | 2025 | Scognamillo, Ciro; Borghese, Alessandro; Melnyk, Kyrylo; Nistor, Iulian; D’Alessandro, Vincenzo; Boccarossa, Marco; Terracciano, Vincenzo; Riccio, Michele; Catalano, Antonio Pio; Breglio, Giovanni; Lophitis, Neo; Antoniou, Marina; Rahimo, Munaf; Irace, Andrea; Maresca, Luca | |
Short-Circuit Rugged 1.2 kV SiC MOSFET with a Non-Linear Dielectric Gate Stack | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2023 | Boccarossa, M.; Maresca, L.; Borghese, A.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.; Salvatore, G. A. | |
SiC GAA MOSFET Concept for High Power Electronics Performance Evaluation Through Advanced TCAD Simulations | 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) | 2024 | Maresca, L.; Terracciano, V.; Borghese, A.; Boccarossa, M.; Riccio, M.; Breglio, G.; Mihaila, A.; Romano, G.; Wirths, S.; Knoll, L.; Irace, A. | |
Threshold Voltage Temperature Dependence for a 1.2 kV SiC MOSFET with Non-Linear Gate Stack | 4.1 Articoli in Atti di convegno | 2023 | Boccarossa, Marco; Maresca, Luca; Borghese, Alessandro; Riccio, Michele; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea; Salvatore, Giovanni A. | |
Numerical Analysis of the Schottky Contact Properties on the Forward Conduction of MPS/JBS SiC Diodes | 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) | 2023 | Boccarossa, Marco; Borghese, Alessandro; Maresca, Luca; Riccio, Michele; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea |